مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی بر اساس حامل های بار پروتونی (2010 الزویر)

1.مقدمه

2.نظریه تئوری انتقال یون در نانوکانال¬های محدود شده

3. طراحی و ساخت

4. خصوصیات دستگاه و اندازه گیری ها

5. نتیجه گیری

We demonstrated a field effect transistor based on the modulation of the proton flow in confined water-containing nanochannels. The device resembles an MOSFET transistor with the difference that the charge carriers here are ions (i.e. protons) instead of electrons. The effective cross-section of the conductive channels in the transistor is defined by the intensity of the electrical double layer and by the potential applied to the transistor gate.

ترانزیستور اثرمیدانی بر اساس مدولاسیون جریان پروتونی در نانوکانال های حاوی آب محدود شده ارائه کرده ایم. این دستگاه، شبیه ترانزیستور MOSEFET است؛ با این تفاوت که حامل های بار در اینجا به جای الکترون ها، یون ها (یعنی پروتون ها) هستند. مقطع عرضی موثر کانال های هادی در این ترانزیستور با شدت دولایه الکتریکی و پتانسیل اعمال شده به گیت (ورودی) ترانزیستور تعریف شده ا ست.