مقاله طراحی گیت های منطقی اشمیت تریگر با استفاده از DTMOS برای افزایش مصونیت الکترومغناطیسی مدارهای زیرآستانه (2015 آی تریپل ای)

عنوان فارسی مقاله طراحی گیت های منطقی اشمیت تریگر با استفاده از DTMOS برای افزایش مصونیت الکترومغناطیسی مدارهای زیرآستانه
عنوان انگلیسی مقاله Design of Schmitt Trigger Logic Gates Using DTMOS for Enhanced Electromagnetic Immunity of Subthreshold Circuits
فهرست مطالب 1. مقدمه

2. پیاده‌سازی گیت‌های اشمیت تریگر DTMOS

a. بهبود ایمنی نویز با استفاده از یک اشمیت تریگر

b. ساختمان گیت AND و OR

3. بهبود مصونیت از نویز گیت‌های اشمیت تریگر DTMOS

a. مقدمات شبیه‌سازی

b. افزایش ایمنی سطح گیت

c. بهبود ایمنی سطح مدار

4. اشمیت‌تریگر با هیسترزیس قابل تنظیم کامل

A. محدودیت‌های طرح پیشنهادی

B. اشمیت‌تریگر با هیسترزیس قابل تنظیم کامل

5. بهبود گیت‌های اشمیت‌تریگر DTMOS

A.. مقدمات شبیه‌سازی

B. ایمنی نویز (پهنای هیسترزیس)

C. توان مصرفی

D. تاخیر I/O

E. استخراج پهنای هیسترزیس بهینه

F. کاربرد IPDR در مدارهای پایه

6. نتیجه‌گیری

بخشی از متن مقاله انگلیسی Abstract

This paper presents subthreshold digital circuit design and optimization method using Schmitt trigger logic gates for enhanced electromagnetic immunity. The proposed Schmitt trigger logic gates are based on a buffer design using dynamic thresholdvoltage MOS for low-power operation. By expanding the Schmitt trigger to NAND/NOR gate, we can dramatically improve the noise immunity with much lower switching power consumption and significant area reduction compared with CMOS Schmitt triggers, at the expense of a slight increase in delay. Not only for the gate level, but also the circuit level immunity improvement is verified with ISCAS 85 benchmark. In addition, we propose a parameter to determine the optimal noise immunity considering the tradeoff between immunity and performance. By using the proposed parameter, optimal hysteresis can be chosen for the reasonable performance deterioration.

ترجمه بخشی از متن مقاله چکیده

این مقاله روش‌های طراحی و بهینه‌سازی مدار دیجیتالی زیرآستانه را با استفاده از گیت‌های منطقی اشمیت تریگر برای افزایش مصونیت الکترومغناطیسی ارائه می‌دهد. گیت‌های منطقی اشمیت تریگر پیشنهادی بر اساس طراحی بافر با استفاده از ولتاژ دینامیکی MOS برای عملکردهای کم‌توان ارائه شدند. با توسعه دادن گیت اشمیت تریگر به NAND یا NOR، ما می‌توانیم به‌طور چشمگیری مصونیت از نویز را با تغییر کم توان مصرفی و کاهش قابل‌توجه حجم اشغالی در مقایسه با CMOSهای اشمیت تریگر مرسوم، درگستره افزایش ناچیز تاخیر، بهبود دهیم. در سطح ترانزیستوری و مداری، بهبود عملکرد ایمنی مدار توسط معیار ISCAS 85 بررسی شده است. علاوه بر این، ما یک پارامتر برای تعیین مصونیت از نویز با در نظر گرفتن تقابل بین ایمنی و کارایی ارائه دادیم. با استفاده از پارامتر پیشنهادی، هیسترزیس بهینه می‌تواند برای کارایی قابل قبولی انتخاب شود.

سال انتشار 2015
ناشر آی تریپل ای
مجله  یافته ها در حوزه سازگاری الکترومغناطیس – TRANSACTIONS ON ELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY
کلمات کلیدی  مدارهای دیجیتال، تداخل الکترومغناطیسی (EMI)، هیسترزیس، ایمنی، اشمیت تریگر
 تعداد صفحات مقاله انگلیسی 10
تعداد صفحات ترجمه مقاله 24
مناسب برای رشته مهندسی برق
مناسب برای گرایش مدارهای مجتمع الکترونیک، بیوالکتریک، مهندسی الکترونیک و سیستم های قدرت
دانلود رایگان مقاله انگلیسی ○ دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf
خرید ترجمه فارسی ○ خرید ترجمه آماده این مقاله با فرمت ورد
سایر مقالات این رشته ○ مشاهده سایر مقالات رشته مهندسی برق

دیدگاهتان را بنویسید